2021-09-18 GaN衬底大功率蓝光激光器件 通过GaN衬底外延生长高质量III-V族半导体材料，开发高功率、高效率以及高可靠性蓝光激光器的芯片制备工艺技术，掌握高功率激光芯片的新型热管理封装技术，获得高功率GaN基蓝光激光器芯片，实现高功率蓝光激光器芯片的国产替代，打破国际垄断局面。
2021-09-18 太赫兹应用器件 通过材料生长与工艺制程整合，实现氮化镓基的太赫兹应用器件，输出频率大于150G，截止频率大于300G。
