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科研成果

材料
器件
应用

2英寸GaN单晶衬底

(1)采用HVPE技术直接在AlN/蓝宝石衬底上生长GaN单晶层,有效节省了MOCVD制造环节,简化工艺流程。 (2)采用266nm激光对GaN/蓝宝石进行剥离,激光透过AlN缓冲层聚焦在GaN界面,AlN缓冲层吸收GaN受热分解在局域产生的热量而变成熔融态,在蓝宝石与GaN之间形成有效缓冲,减少了GaN的碎裂几率,提高了产品良率。 展开

4英寸GaN单晶衬底

在自主知识产权的HVPE设备下,获得了4英寸GaN单晶体材料。XRD测试结果表明,目前工艺获得的4英寸单晶衬底的(0002)与(10-12)半峰宽都低于100弧秒,晶体位错密度达到6次方。 展开

2-4英寸GaN/Al₂O₃复合衬底

主要研究多片式GaN衬底外延生长中的膜厚均匀性,达到片内不均匀性小于±5%,片间不均匀性小于3%;同时研究生产中的稳定性,可重复性及可控性。(1)采用HVPE技术直接制备GaN复合衬底的新工艺,简化 MOCVD制备环节,降低制造成本。(2)HVPE技术在AlN缓冲层成核生长GaN的新技术,通过五三比调控GaN成核与生长模式提高GaN晶体质量。 展开

6英寸硅基GaN HEMT外延材料

利用MOCVD所研发的GaN HEMT外延材料产品达到产业化的性能指标。均匀性小于2.5%,耐压为780V@1μA/mm²,二维电子气迁移率大于2200 cm²/v.s,方阻小于400ohm/sq,载流子浓度大于4.5*1E12/cm²,符合650V器件应用领域的材料要求。GaN HEMT外延材料产品制备成器件后,相比传统硅器件,GaN HEMT具备高迁移率、低导通、高电压、小型化轻量化、更高电能转换效率、更高的功率密度等方面优势,符合绿色节能的科技发展。可以用于汽车电子、5G通信、电力运输、轨道交通、数据中心、太逆变器、办公数码等涉及电能转换相关领域。 展开

蓝绿光外延材料

掌握高亮度蓝绿光外延片材料生长技术,通过调控外延工艺,引入极化热导工艺,实现高空穴浓度的P型掺杂,空穴浓度达到1*E18/cm³。通过量子阱界面调控,实现较为陡峭的垒阱界面,达到了比较理想的载流子限制效果,在XRD干涉图谱中出现的多级卫星峰的衍射。绿光外延片的开启电压为3.1V,蓝光外延片的开启电压为2.7V,极低的反向漏电流,展现了良好的伏安特性。在PL mapping测试中,蓝光发光波长在±5nm,展现良好的波长均匀性。 展开

2英寸多晶金刚石自支撑衬底

通过成核面剥离技术,制备了2英寸单面光滑的多晶金刚石薄膜,Ra<1nm,透光率范围0-70%,导热率500-2000W/(m·K) 。为金刚石在高质量密封件、热沉材料、导弹罩,电子、光电子领域元器件的封装散热以及耐磨损的各种光学镜头、窗口材料等的制备及应用提供基础。 展开