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MOCVD项目组

2021-09-03

金属有机气相沉积系统(MOCVD)

MOCVD主要包括耦合喷淋式、高速旋转式、行星式水平式三种结构反应室。不同的反应室结构有着不同的气流场模型。行星式流场均匀性最佳,耦合喷淋式、高速旋转式稍差。

 

氮化镓材料异质外延核心技术

氮化镓异质外延技术主要包括渐变AlGaN方案、GaN/AlN超晶格方案、渐变超晶格复合方案、低温AlN插入层方案。不同的外延方案有着不同的外延特征,渐变AlGaN方案最成熟,GaN/AlN 超晶格方案最稳定,各自有不同的应用场景。

外延研究成果

掌握不同外延技术方案,解决氮化镓异质外延应力及均匀性问题。

掌握大尺寸硅基氮化镓电力电子材料外延技术,不同尺寸外延技术全面覆盖。

 

功率氮化镓性能评估

芯片研究成果:掌握六英寸硅上GaN HEMT大电流芯片流片工艺;掌握六英寸硅上GaN HEMT芯片低漏电技术,栅漏小于1nA,实现高栅控能力。掌握六英寸硅上GaN HEMT芯片大功率高导通技术,输出电流达到10A级别。

MOCVD应用范围
  • 激光器开发;
  • 电力电子器件;
  • 射频器件;
  • 发光二极管;
  • 光电探测器开发;
获奖情况

第二十三届全国发明展览会·一带一路暨金砖国家技能发展与技术创新大赛荣获“发明创业奖·项目奖”银奖。

项目组负责人:王琦

 

英国谢菲尔德大学博士、博士后,加拿大麦吉尔大学博士后,材料科学副研究员,专注于第三代半导体领域科研工作10余年,取得了丰硕的研究成果。

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