7 月 18 日，环巍峨山科创交流品牌 “We-Science” 系列科技交流活动在松山湖科学城同步启幕。

由北京大学东莞光电研究院主办的宽禁带功率半导体材料与器件应用专题论坛于散裂中子源科学中心顺利举办，来自中山大学、南方科技大学、深圳大学、吉林大学及广东天域半导体的行业专家、科研骨干、企业技术代表齐聚一堂，围绕氧化镓、氮化镓、金刚石、碳化硅前沿技术与产业化落地开展深度研讨，为莞深新材料产业协同搭建高效产学研对话平台。

松山湖作为大湾区综合性国家科学中心先行启动区核心腹地，正加速打通材料研发至器件集成全链条创新通道；以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体已全面赋能新能源汽车、5G 基站等产业，氧化镓、金刚石等超宽禁带材料则凭借独特优势，开辟高压电网、深紫外探测全新赛道，金刚石热沉技术更为高功率器件散热瓶颈提供全新解决方案。

本次论坛汇聚产学研用多方智慧，特邀五家单位权威专家，分别从氧化镓同质外延、新型器件结构、低成本氮化镓单晶、金刚石外延生长以及碳化硅产业化等关键维度分享前沿成果与产业洞见。

中山大学裴艳丽教授围绕氧化镓 MOCVD 同质外延工艺展开分享，介绍超宽带隙氧化物半导体最新制备技术。

南方科技大学汪青研究员深度解析氧化镓功率器件与集成电路核心技术，分享多项自主研发成果。

深圳大学刘新科研究员聚焦低成本氮化镓单晶器件研发，阐述氮化镓产业化创新路径。

吉林大学李柳暗副研究员介绍英寸级金刚石外延生长及缺陷调控关键方案。

广东天域半导体丁雄杰正高级工程师结合企业量产实践，系统梳理碳化硅外延技术迭代方向与行业发展趋势。

各位专家系统梳理了四大材料赛道发展现状：碳化硅 8 英寸量产工艺持续成熟，在新能源汽车领域规模化落地；氮化镓从异质外延走向单晶路线，全面渗透车载电源与数据中心；氧化镓高压器件突破 8kV 耐压，搭配金刚石封装散热方案迈入中试；英寸级金刚石外延实现突破，异质集成成为解决超宽禁带器件散热难题的核心路径。产业竞争从性能比拼转向低成本技术博弈、异质集成成为技术破局关键、国产专用 MOCVD/HVPE 设备需求迫切、各宽禁带材料应用场景持续细分。

学术研讨结束后，参会嘉宾统一前往散裂中子源装置展厅开展实地参观，讲解员结合装置模型，细致介绍大科学装置建设运行、谱仪开放共享、材料表征检测等核心功能。

本次论坛为大湾区及 We-Science 联盟单位在宽禁带、超宽禁带半导体研发与产业化指明清晰方向，对政策制定、研发布局、产业发展、项目投资具备重要参考价值。与会嘉宾达成共识，未来将携手并进、以科技创新为引擎，加速成果转化与产业落地，助力我国半导体产业高质量发展，共建自主可控产业链供应链。

北京大学东莞光电研究院持续深耕宽禁带半导体、光电子核心技术研发，积极参与 “环巍峨山” 科研圈建设，常态化承办 “We-Science” 学术交流活动。长期以来，院内科研团队围绕氮化镓、金刚石等宽禁带材料持续攻坚，在核心衬底制备、大尺寸金刚石薄膜量产等关键方向取得系列原创性技术突破，相关成果先后斩获国家级技术发明奖项、入选全国年度重大基础研究进展，搭建起从基础创新到产业落地的完整技术体系，为宽禁带半导体国产化发展夯实核心技术底座。

下一步，我院将持续聚焦宽禁带半导体关键技术攻关，联动省内外高校、产业链企业搭建更多细分领域专题交流平台，持续推动基础研究成果向产业端高效转化，助力松山湖打造国内领先的宽禁带半导体创新高地，为粤港澳大湾区国际科技创新中心建设提供坚实支撑。

文字：吴载炎

审核：夏玉玲、陈丽