11月14日，2023年度全国半导体材料标准工作年会在丽水市举行。全国半导体材料标准化技术委员会（以下简称“半材委”）委员、北京大学东莞光电研究院（以下简称“研究院”）体系与信息标准化中心主任丁晓民，研究院超净实验室主任刘南柳参加会议。

会上半材委作了2023年度工作报告，表彰了2023年度获奖单位和人员，论证了2024年国家标准计划。会上表彰了6个获得“全国半导体材料分标委会技术标准优秀奖”的标准项目；研究院参与制定的4项国家标准项目在此表彰之列，包括其中的一等奖1个、二等奖1个、三等奖2个。

会上论证2024年度半导体材料标准计划项目，共20项提交会上讨论。研究院参与编制的5项国家标准计划项目获论证通过，项目清单如下：

1.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶位错密度测试方法；

2.碳化硅外延片载流子浓度的测试  非接触电容电压法；

3.碳化硅晶片表面金属元素含量的测定  电感耦合等离子体质谱法；

4.碳化硅外延片载流子寿命的测试  瞬态吸收法；

5.激光器外延芯片用砷化镓衬底。