设为首页 | 添加收藏 今天是:2022年06月25日 星期六
中国工程物理研究院激光聚变研究中心——GaN外延材料

2021-10-11

2019年6月,北京大学东莞光电研究院与中国工程物理研究院激光聚变研究中心正式签订项目合同书,运用MOCVD设备生长直径150mm±5mm、二维电子气浓度≥5.0×E12/cm²、电子迁移率≥1000 cm²/V*S,开展定制化氢气传感器用GaN外延材料样品研制。

扫一扫,在手机端打开当前页