2021-09-18
6英寸硅基GaN HEMT外延材料
利用MOCVD所研发的GaN HEMT外延材料产品达到产业化的性能指标。均匀性小于2.5%，耐压为780V@1μA/mm²，二维电子气迁移率大于2200 cm²/v.s，方阻小于400ohm/sq，载流子浓度大于4.5*1E12/cm²，符合650V器件应用领域的材料要求。GaN HEMT外延材料产品制备成器件后，相比传统硅器件，GaN HEMT具备高迁移率、低导通、高电压、小型化轻量化、更高电能转换效率、更高的功率密度等方面优势，符合绿色节能的科技发展。可以用于汽车电子、5G通信、电力运输、轨道交通、数据中心、太逆变器、办公数码等涉及电能转换相关领域。
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